整體疊層布局，結(jié)構(gòu)緊湊，節(jié)省機(jī)臺(tái)占地空間；勻膠、顯影每層2個(gè)單元，烘烤熱處理單元采用4列布置方式，與工藝單元相對(duì)稱，每列放置單元數(shù)可達(dá)5個(gè)，且各單元有獨(dú)立排風(fēng)系統(tǒng)，保證工藝精度及穩(wěn)定性。設(shè)備布局分上中下三層，有效做到氣、液、電分別布置，提高機(jī)臺(tái)安全性、穩(wěn)定性。Spin電機(jī)及法蘭有溫控結(jié)構(gòu)，避免熱量傳至Wafer表面；勻膠單元有高精度計(jì)量泵及光阻回吸閥，節(jié)約光刻膠用量；立排風(fēng)、送風(fēng)系統(tǒng)，并有風(fēng)速、排風(fēng)數(shù)字監(jiān)控功能；主軸電機(jī)的轉(zhuǎn)速、加速度可精確控；Cup風(fēng)流經(jīng)過流體仿真優(yōu)化驗(yàn)證 晶片尺寸
8-12英寸，圓形及方形基片，光刻膠旋涂及顯影工藝

主要技術(shù)參數(shù)
1、晶片尺寸： 8-12英寸
2、上下料方式： 高效機(jī)械手自動(dòng)傳送
3、離心機(jī)轉(zhuǎn)速
額定轉(zhuǎn)速： 3000 rpm
轉(zhuǎn)速：                6000
加速度：              30000rpm/s
最小調(diào)整量： 1rpm
轉(zhuǎn)速精度： ±1rpm（50 rpm～6000 rpm）
4、吸盤(Chuck)
夾持方式： 真空吸附
吸盤真空檢測： 數(shù)顯真空壓力傳感器
5、 排風(fēng)定期清洗：          duct clean功能
6、PR nozzle：               直徑1.2mm  每路膠嘴可單獨(dú)保濕清洗
7、顯影噴嘴：               LD nozzle  H nozzle  GP nozzle可選
8、熱處理單元：            熱板HHP/LHP/AD單元（max.350℃） 6個(gè)，冷板CP單元2個(gè)，根據(jù)工藝制程不同可靈活選配
9、光刻膠供應(yīng)：            采用高精度氣動(dòng)/電動(dòng)計(jì)量泵
10、顯影液供應(yīng)：           采用N2加壓
11、化學(xué)液恒溫 ：          水浴恒溫   23±0.1℃
12、滴膠精度：             ±0.1ml ；滴膠范圍：0.6-3ml
13、WEE 邊緣曝光：        可選配
14、恒溫恒濕控制：         精密溫濕度控制器   （THC）

應(yīng)用行業(yè)
廣泛服務(wù)于MEMS、OLED、光通信、Saw、*封裝、科研等領(lǐng)域。