ID2304D600V無刷電機驅(qū)動芯片采用SOP-8封裝，管腳和功能與ST/意法L6388基本一致，可兼容替代L6388，其浮地通道能工作在600V的高壓下，可用于驅(qū)動2個N溝道功率MOSFET或1GBT構(gòu)成的半橋拓撲結(jié)構(gòu)，是一款基于P村底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動芯片

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　　ID2304D 600V無刷電機驅(qū)動芯片采用SOP-8封裝，管腳和功能與ST/意法L6388基本一致，可兼容替代L6388，其浮地通道能工作在600V的高壓下，可用于驅(qū)動2個N溝道功率MOSFET或1GBT構(gòu)成的半橋拓撲結(jié)構(gòu)，是一款基于P村底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動芯片。

　　ID2304D 芯片特征　　

　　■高側(cè)浮動偏移電壓600V　　

　　■輸入信號兼容3.3V和5V邏輯電平　　

　　■dV/dt抗干擾能力±50V/nsec　　

　　■VS負偏壓至-7V　　

　　■芯片工作電壓范圍10V~18V　　

　　■高低側(cè)均具有欠壓保護功能　　

　　■輸出拉灌電流能力300mA/500mA　　

　　■高低側(cè)通道均延時匹配　　

　　■死區(qū)時間典型值為120ns　　

　　■內(nèi)置自舉二極管

　　ID2304D封裝訂購

　　ID2304D 600V無刷電機驅(qū)動芯片典型應用電路

　　應用領域　　

　　■中小型功率電機驅(qū)動　　

　　■MOSFET IGBT　　

　　■半橋功率逆變器　　

　　■全橋功率逆變器　　

　　■任意互補驅(qū)動轉(zhuǎn)換器

　　ID2304D 600V無刷電機驅(qū)動芯片具有良好的延時匹配功能，適用于高頻應用場合。ID2304D芯片輸入信號可以兼容CMOS和LSTTL信號，邏輯輸入電平低至3.3V。具有300/600mA大電流輸出能力，輸入端具有有效電平邏輯互鎖功能，能夠有效的防止輸出功率管共態(tài)導通。

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