詳細摘要： PN6006集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源
產(chǎn)品型號：PN6006所在地：深圳市更新時間：2025-12-26 在線留言深圳市驪微電子科技有限公司
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詳細摘要： PN6006集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源
產(chǎn)品型號：PN6006所在地：深圳市更新時間：2025-12-26 在線留言
詳細摘要： PN8192C集成PFM控制器以及730V高可靠性MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡、低功耗的交直流轉換電源
產(chǎn)品型號：PN8192C所在地：深圳市更新時間：2025-12-25 在線留言
詳細摘要： PN8200是一款具有兩個端子的X電容放電專用芯片，其待機損耗低同時能夠滿足電源系統(tǒng)的安規(guī)標準
產(chǎn)品型號：PN8200SEC-R1所在地：深圳市更新時間：2025-12-25 在線留言
詳細摘要： PN6775集成超低待機功耗原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于50mW，PN6775超低功耗芯...
產(chǎn)品型號：PN6775SEC-R1所在地：深圳市更新時間：2025-12-25 在線留言
詳細摘要： PN8213內(nèi)部集成了電流模式控制器和高壓啟動模塊，專用于高性能的快速充電開關電源
產(chǎn)品型號：PN8213ST-A1所在地：深圳市更新時間：2025-12-25 在線留言
詳細摘要： AP3160升壓型led背光驅動芯片采用SOP8封裝，是一款高性能的異步升壓控制器，專為液晶電視機和液晶顯示器恒流背光應用而設計的DC/DC升壓電路
產(chǎn)品型號：AP3160SE-A1所在地：深圳市更新時間：2025-12-25 在線留言
詳細摘要： PN816530w快充芯片通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術和特殊器件低功耗結構技術實現(xiàn)了超低的待機功耗、全電壓范圍下的...
產(chǎn)品型號：PN8165PD-A1/PN8165SE-A1所在地：深圳市更新時間：2025-12-25 在線留言
詳細摘要： 鋰電池升壓芯片AP2004采用6引腳的扁平SOT-23封裝，是一個恒定頻率峰值電流模式的異步PWM升壓轉換器
產(chǎn)品型號：AP2004H所在地：深圳市更新時間：2025-12-25 在線留言
詳細摘要： PN8163內(nèi)部集成了準諧振工作模式的電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源
產(chǎn)品型號：PN8163所在地：深圳市更新時間：2025-12-25 在線留言
詳細摘要： PN8575P原邊反饋芯片集成低待機功耗原邊控制器及BJT，用于低成本、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源
產(chǎn)品型號：PN8575SE-P1所在地：深圳市更新時間：2025-12-25 在線留言
詳細摘要： PN8054E集成PFM控制器及670V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源
產(chǎn)品型號：PN8054ESSC-R1所在地：深圳市更新時間：2025-12-25 在線留言
詳細摘要： PN8141內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源
產(chǎn)品型號：PN8141NS-A2所在地：深圳市更新時間：2025-12-25 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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