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PN8611-內(nèi)置mos原邊反饋芯片

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產(chǎn)品型號(hào)PN8611

品牌

廠商性質(zhì)其他

所在地深圳市

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更新時(shí)間：2025-12-26 07:30:48瀏覽次數(shù)：45次

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  集成電路IC

芯朋微電源ic

Chipown芯朋微

SLAN士蘭微

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華潤(rùn)華晶

士蘭微電源ic

芯龍芯片系列

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CR/啟臣微

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SLAN/士蘭微

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PN8611內(nèi)置mos原邊反饋芯片集成超低待機(jī)功耗原邊控制器、FB下偏電阻和電容、VDD供電二極管、CS電阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件超精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源

詳細(xì)介紹

　　PN8611內(nèi)置mos原邊反饋芯片集成超低待機(jī)功耗原邊控制器、FB下偏電阻和電容、VDD供電二極管、CS電阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件超精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源?！　?/div>

　　PN8611為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿(mǎn)足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)置輸出線補(bǔ)償功能使系統(tǒng)獲得較好的負(fù)載調(diào)整率?！　?/div>

　　PN8611內(nèi)置mos原邊反饋芯片提供了極為全面的智能保護(hù)功能，包含逐周期過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、開(kāi)環(huán)保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)和輸出短路保護(hù)等。

　　PN8611內(nèi)置mos原邊反饋芯片產(chǎn)品特征　　

　　■ 內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET　　

　　■ 內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，小于50mW空載損耗（230VAC）　　

　　■ 采用多模式技術(shù)提高效率，滿(mǎn)足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)　　

　　■ 全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度　　

　　■ 原邊反饋可省光耦和TL431　　

　　■ 無(wú)需電流采樣電阻、FB反饋下電阻、VDD供電二極管　　

　　■ 無(wú)需額外補(bǔ)償電容　　

　　■ 無(wú)音頻噪聲　

　　■ 智能保護(hù)功能　　

　　過(guò)溫保護(hù) (OTP)　　

　　 VDD欠壓&過(guò)壓保護(hù) (UVLO&OVP)　　

　　逐周期過(guò)流保護(hù) (OCP)　　

　　開(kāi)環(huán)保護(hù) (OLP)

　　封裝/訂購(gòu)信息

　　PN8611管腳定義

管腳名	管腳標(biāo)號(hào)	管腳功能描述
DIO	1	輔助繞組給VDD電容充電引腳
VDD	2	工作電壓輸入引腳
FB	3	反饋引腳，輔助繞組電壓通過(guò)電阻反饋穩(wěn)定輸出
GND	4	地電位
SW	5,6,7,8	智能功率MOSFET Drain端引腳，跟變壓器初級(jí)相連

　　PN8611內(nèi)置mos原邊反饋芯片典型功率

　　PN8611典型應(yīng)用電路

　　外圍參數(shù)選擇參考　　

　　為了獲得更佳的 PN8611 系統(tǒng)性能，請(qǐng)務(wù)必遵守以下規(guī)則：　　

　　1. VDD 電容 EC1 應(yīng)放置在距離 VDD 引腳和 GND 引腳最近的地方?！　?/div>

　　2. 輔助繞組經(jīng) R1 到 FB 腳的走線盡量短，使 FB 采樣回路最小。

　　PN8611輸出特性

　　PN8611內(nèi)置mos原邊反饋芯片應(yīng)用領(lǐng)域　　

　　■ 開(kāi)關(guān)電源適配器　　

　　■ 電池充電器　　

　　■ 機(jī)頂盒電源

　　更多PN8611內(nèi)置mos原邊反饋芯片，電源輸入輸出規(guī)格，BOM 表和變壓器參數(shù)以及安規(guī)和 EMI 測(cè)試數(shù)據(jù)等資料，請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>

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