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PN8782_20-30W氮化鎵PD快充芯片

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產(chǎn)品型號(hào)PN8782SX-A1，PN8782SX-B1

品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地深圳市

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PN8782氮化鎵PD快充芯片內(nèi)部集成了電流模式控制器和高壓?jiǎn)?dòng)模塊以及高性能GaNFET，專用于高性能的快速充電開關(guān)電源

詳細(xì)介紹

　　PN8782氮化鎵PD快充芯片內(nèi)部集成了電流模式控制器和高壓?jiǎn)?dòng)模塊以及高性能GaN FET，專用于高性能的快速充電開關(guān)電源?！　?/div>
　　PN8782芯片根據(jù)輸入電壓、輸出電壓和負(fù)載自適應(yīng)切換QR-Lock Mode、PFM和Burst Mode，多模式調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了全負(fù)載范圍內(nèi)的高效率和低待機(jī)功耗,同時(shí)避免了開關(guān)變換器進(jìn)入CCM模式工作，降低次級(jí)整流管的電壓應(yīng)力。頻率調(diào)制技術(shù)和Soft-Driver技術(shù)充分保證系統(tǒng)的良好EMI表現(xiàn)。內(nèi)置了線電壓補(bǔ)償模塊，提高了在全輸入電壓范圍內(nèi)的帶載能力一致性。　　
　　同時(shí)，PN8782芯片還提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能，包括輸入欠過壓保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、輸出短路保護(hù)、過溫保護(hù)、次級(jí)整流管短路保護(hù)、逐周期過流保護(hù)、輸出過載保護(hù)、DMG電阻短路保護(hù)、CS開路保護(hù)等功能。
　　
　　PN8782氮化鎵PD快充芯片特點(diǎn)　　
　　■ 內(nèi)置高壓GaN FET和高壓?jiǎn)?dòng)電路　　
　　■ 供電電壓8~56V，適合寬輸出電壓應(yīng)用　　
　　■ QR-Lock技術(shù)提高效率改善系統(tǒng)噪聲　　
　　■ 空載待機(jī)功耗< 55mW @230VAc　　
　　■ 優(yōu)異全面的保護(hù)功能　　
　　輸入欠壓和過壓保護(hù)　　
　　輸出過壓保護(hù)(OVP)　　
　　VDD過壓保護(hù)(VDDOVP)　　
　　逐周期過流保護(hù)(OCP)　　
　　輸出短路保護(hù)(SCP)　　
　　DMG電阻短路保護(hù)　　
　　CS開路保護(hù)　　
　　次級(jí)整流管短路保護(hù)(DSP)　　
　　輸出過載保護(hù)(OLP)　　
　　精確的過溫保護(hù)(OTP)
　　
　　PN8782芯片封裝/管腳定義

管腳名 管腳標(biāo)號(hào) 管腳功能描述
HV 1 高壓?jiǎn)?dòng)引腳，實(shí)現(xiàn)高壓?jiǎn)?dòng)和輸入欠壓和過壓保護(hù)功能
CS 2 高壓GaN FET源極，接外部采樣電阻;內(nèi)部電流檢測(cè)輸入引腳
FB 3 反饋輸入引腳，決定峰值電流參考和QR-Lock谷底數(shù)
DMG 4 去磁引腳，通過外接電阻采樣輸出電壓和輸入電壓，實(shí)現(xiàn)波谷檢測(cè)、輸出過壓保護(hù)、輸入線補(bǔ)償功能
GND 5 地
VDD 6 供電電壓輸入引腳
SW 7 高壓GaNFET漏極
　　
　　典型功率應(yīng)用
型號(hào) 輸入電壓 密閉式條件
PN8782SX -A1 85-265 VAC 30W
PN8782SX -B1 85-265 VAC 20W
　　
　　典型應(yīng)用電路圖
　　
　　PN8782氮化鎵PD快充芯片是高頻準(zhǔn)諧振交直流轉(zhuǎn)換器，有PN8782SX-A1，PN8782SX-B1兩個(gè)型號(hào)，均采用SOP7/PP封裝，PN8782SX-A1+PN8307HSE-R1典型應(yīng)用于PD 20W氮化鎵充電器，PN8782SX-A1+PN8307HSE-A1典型應(yīng)用于30W PD氮化鎵充電器，廣泛應(yīng)用于手機(jī)充電器、適配器領(lǐng)域，更多PN8782_20-30W氮化鎵PD快充芯片產(chǎn)品手冊(cè)、電氣特性等方案資料請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>

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