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IBE-200Z離子束刻蝕機(jī)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱北京金盛微納科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地北京市
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2023/7/3 9:37:29
  • 訪問次數(shù)222
產(chǎn)品標(biāo)簽:

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       北京金盛微納科技有限公司為國家企業(yè)、中關(guān)村企業(yè),中國真空學(xué)會(huì)理事單位,中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)、中國微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)會(huì)員單位。主要從事半導(dǎo)體設(shè)備、微細(xì)加工設(shè)備的產(chǎn)品研制、設(shè)計(jì)開發(fā)、生產(chǎn)銷售,并開展相關(guān)工藝的研究及應(yīng)用。主要產(chǎn)品有:勻膠機(jī)(SC)、烘膠臺(tái)(BP)、曝光機(jī)、刻蝕機(jī)(RIE、ICP、IBE)、等離子體淀積臺(tái)(PECVD)、磁控濺射臺(tái)(Sputter)、去膠機(jī)、濺射/刻蝕/淀積一體機(jī)、鍵合爐等。產(chǎn)品應(yīng)用范圍涉及微電子、光電子、LED、MEMS、傳感器、平板顯示、通訊等領(lǐng)域,主要用于科研機(jī)構(gòu)、大專院校、生產(chǎn)企業(yè)和公司進(jìn)行各種器件的研究、開發(fā)和批量生產(chǎn)。公司建有“微細(xì)加工工藝示范線”以“開放實(shí)驗(yàn)室”的形式對(duì)各大專院校、研究院所、企業(yè)等相關(guān)研究、生產(chǎn)單位開放。在“開放實(shí)驗(yàn)室”里用戶可獲得:設(shè)備選型、項(xiàng)目預(yù)研與立項(xiàng)、合作攻關(guān)、工藝培訓(xùn)、外協(xié)加工等服務(wù)支持。


公司特點(diǎn)

產(chǎn)品成線:公司可提供面向用戶研發(fā)與生產(chǎn)的工藝線上的核心設(shè)備,從勻烘系列、光刻系列、刻蝕系列、鍍膜系列、去膠、鍵合系列到組合設(shè)備。設(shè)備產(chǎn)品成線奠定了產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)過程中設(shè)備的協(xié)同,提供了研發(fā)和生產(chǎn)有效的工藝、工序保障。

產(chǎn)品立體化:公司依據(jù)不同科研單位、大專院校和生產(chǎn)企業(yè)的需求,生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)(手動(dòng))設(shè)備、自動(dòng)設(shè)備、具有LOAD-LOCK功能的全自動(dòng)設(shè)備,以及為特定用戶個(gè)性化生產(chǎn)的組合設(shè)備。以此形成滿足不同層面、不同個(gè)性化需求的立體化設(shè)備產(chǎn)品體系,自動(dòng)化設(shè)備以及內(nèi)嵌的專家工藝,為產(chǎn)品生產(chǎn)的穩(wěn)定性、工藝的重復(fù)性提供了有效的硬件基礎(chǔ),使之更好地應(yīng)用于科研和生產(chǎn)。

產(chǎn)品與工藝配套:依托公司完備的設(shè)備基礎(chǔ)和優(yōu)勢的工藝力量,公司在產(chǎn)品設(shè)備上,開發(fā)了相應(yīng)工藝,使之達(dá)到設(shè)備和工藝的結(jié)合,讓用戶獲得效果及解決方案。公司的“開放試驗(yàn)室”還可提供*、便捷的售后服務(wù)、技術(shù)支持,由此形成了既無前憂又無后顧的產(chǎn)品服務(wù)環(huán)境,成為公司產(chǎn)品占有市場的又一利器。


曝光機(jī)
本產(chǎn)品是利用低能量平行Ar+離子束對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊,表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出,從而達(dá)到選擇刻蝕的目的,它采用純物理的刻蝕原理
IBE-200Z離子束刻蝕機(jī) 產(chǎn)品信息
本產(chǎn)品是利用低能量平行Ar+離子束對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊,表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出,從而達(dá)到選擇刻蝕的目的,它采用純物理的刻蝕原理。離子束刻蝕是目前所有刻蝕方法中分辨率,陡真性方法,它可以對(duì)所有材料進(jìn)行刻蝕,例如:金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體、超導(dǎo)體等。

詳細(xì)描述

本產(chǎn)品采用口徑φ200mm考夫曼型離子源,通過結(jié)構(gòu)的雙鉬柵離子光學(xué)系統(tǒng)及SHAG技術(shù)保證在φ150mm范圍內(nèi)束流的均勻性為±5%,電子中和系統(tǒng)可使樣片上的電荷積累為零。

本設(shè)備的刻蝕工作臺(tái)可繞工作中心自轉(zhuǎn),離子束入射角可在0~90°之間任意調(diào)整。

本設(shè)備具有刻蝕速率穩(wěn)定、均勻性好、重復(fù)性好等特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、通訊等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。

自動(dòng)控制系統(tǒng)采用工控計(jì)算機(jī)及PLC控制、觸摸顯示屏操作,實(shí)現(xiàn)真空系統(tǒng)及工藝過程自動(dòng)化。本機(jī)可選擇全自動(dòng)及非全自動(dòng)模式。


產(chǎn)品主要性能指標(biāo)

型號(hào)

IBE-200Z

真空系統(tǒng)

分子泵機(jī)組

刻蝕室數(shù)量

單刻蝕室

刻蝕室規(guī)格

435×406×490mm

工作臺(tái)尺寸

?200mm(片徑≤6英寸)

離子束入射角

0~90°之間任意調(diào)整

刻蝕速率

100?~2000?/min(與刻蝕材料和工藝有關(guān))

刻蝕不均勻性

≤±5%

Ar+離子能量范圍

100~1000eV,連續(xù)可調(diào)

離子束流密度

0~1mA/cm2,連續(xù)可調(diào)

有效離子束直徑

≥?100mm(屏柵極直徑?150mm)

電子中和

帶有熱絲結(jié)構(gòu)的電子中和裝置


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