產(chǎn)品展示
德國(guó)ARCOS 型全譜直讀等離子體發(fā)射光譜儀
【簡(jiǎn)單介紹】
具采用的密封充氣紫外光學(xué)系統(tǒng)和OPI水平觀測(cè)等離子光學(xué)接口完成消除水平觀測(cè)時(shí)尾焰的影響、全譜CCD技術(shù)和多視角等離子體定位等新技術(shù),有高靈敏度、高精度以及波長(zhǎng)范圍寬(130nm-770nm) 等特性,在ICP-OES 領(lǐng)域開拓了全新的應(yīng)用,可分析包括ppm級(jí)鹵素在內(nèi)的73個(gè)金屬和非金屬元素。
主要特點(diǎn)
1.一維色散+32個(gè)CCD檢測(cè)器設(shè)計(jì),檢測(cè)器無需超低溫冷卻,無需氬氣吹掃保
【詳細(xì)說明】
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| ARCOS 型全譜直讀等離子體發(fā)射光譜儀 | |||||||||||||||
產(chǎn)地:德國(guó) 具采用的密封充氣紫外光學(xué)系統(tǒng)和OPI水平觀測(cè)等離子光學(xué)接口完成消除水平觀測(cè)時(shí)尾焰的影響、全譜CCD技術(shù)和多視角等離子體定位等新技術(shù),有高靈敏度、高精度以及波長(zhǎng)范圍寬(130nm-770nm) 等特性,在ICP-OES 領(lǐng)域開拓了全新的應(yīng)用,可分析包括ppm級(jí)鹵素在內(nèi)的73個(gè)金屬和非金屬元素。 主要特點(diǎn) 1.一維色散+32個(gè)CCD檢測(cè)器設(shè)計(jì),檢測(cè)器無需超低溫冷卻,無需氬氣吹掃保護(hù) 2.全波長(zhǎng)覆蓋,*為130-770nm的波長(zhǎng)范圍,*可以分析ppm級(jí)鹵素 3.密閉充氬循環(huán)光路系統(tǒng),檢測(cè)190nm以下譜線,無需氣體吹掃 4.3秒實(shí)現(xiàn)真正全譜數(shù)據(jù)采集,分析速度zui快 5.所有氣體流量采用質(zhì)量流量計(jì)計(jì)算機(jī)控制,矩管位置3維步進(jìn)馬達(dá)計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)化程度高 技術(shù)參數(shù): 光學(xué)系統(tǒng) 焦距:0.75米 光譜范圍:130nm – 770nm 光柵:三光柵 - 3600線/毫米 (130nm – 175nm) - 3600線/毫米 (175nm – 340nm) - 1800線/毫米 (340nm – 770nm) 光譜級(jí)次:全波長(zhǎng)一級(jí)光譜 32個(gè)線性CCD連續(xù) 排列在羅蘭圓上 每個(gè)CCD的像素?cái)?shù):3648 分辨率:8.5pm (恒定不變) 光室密閉充氬,無需吹掃(驅(qū)氣)和抽真空 光室恒溫: 15℃ ( 0.1 ℃) - 開機(jī)即可使用 - 測(cè)量130nm – 190nm波段方便快捷 信號(hào)檢測(cè)與讀出系統(tǒng) 32個(gè)線性陣列CCD 工作溫度:15 ℃ ( 0.1 ℃),無須制冷, 無須吹掃保護(hù)性氣流 超高速數(shù)據(jù)讀?。弘pCPU,平行數(shù)據(jù)讀出 *的動(dòng)態(tài)范圍:108 zui短積分時(shí)間:0.1ms 可進(jìn)行瞬時(shí)信號(hào)的測(cè)量:與LC、HPLC等聯(lián)機(jī)成為真正可能 決無“溢出"現(xiàn)象 長(zhǎng)壽命 等 離 子 體 自激式固態(tài)發(fā)生器和電源 頻率:27.12MHz 功率:750 - 1700W 功率穩(wěn)定性:<0.1% 風(fēng)冷 全自動(dòng)控制,功率連續(xù)可調(diào) 耦合效率高 等離子體觀測(cè)方式 1、等離子體水平放置,軸向觀測(cè) 可有效提高儀器的靈敏度10倍,尤其對(duì)于激發(fā)電位較低的元素,如:Zn、K、Na 的OPI技術(shù) 冷錐冷卻方式:水冷,冷卻效率高 計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制冷錐與等離子體 的相對(duì)位置 氬氣反吹,在保證遠(yuǎn)紫外波段的光 效率前提下,冷錐和光路(包括透 鏡)無污染的可能 2、等離子體垂直放置,徑向觀測(cè) 等離子體垂直放置優(yōu)點(diǎn): 不會(huì)燒炬管 減少基體干擾 減少進(jìn)樣系統(tǒng)沖洗時(shí)間 實(shí)驗(yàn)成本降低 分析速度快
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