北京瑞科中儀科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：三到六個(gè)端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機(jī)、RIE刻蝕機(jī)、原子層沉積系統(tǒng)、PECVD和ICPECVD沉積設(shè)備，以滿足研發(fā)的要求。樣品可以通過預(yù)真...
產(chǎn)品型號：所在地：更新時(shí)間：2025-01-01 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：SENTECH二維材料刻蝕能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟擊。
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：原子層沉積設(shè)備：真遠(yuǎn)程等離子體源能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：PECVD等離子沉積設(shè)備Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備，它結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設(shè)...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標(biāo)...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：等離子沉積設(shè)備低刻蝕速率，高擊穿電壓，低應(yīng)力、不損傷襯底以及在低于100#176;C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度，使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。
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