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KDS超小型晶振DSX211SH,1ZZNAE26000AB0J四腳貼片晶振

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產(chǎn)品簡介

KDS超小型晶振DSX211SH,1ZZNAE26000AB0J四腳貼片晶振，日本進(jìn)口KDS晶振，DSX211SH小體積石英晶體，尺寸2.0x1.6mm四腳貼片晶振，無源晶振，1ZZNAE26000AB0J石英晶體諧振器，小型薄型SMD石英振子2016尺寸，厚度0.45mm，耐熱性優(yōu)良，高精度，高可靠性，支持廣泛的頻率16MHz~60MHz，符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)，用途：工業(yè)機器，通信機、無線模塊、DVC、DSC、PC等小型設(shè)備，可穿戴設(shè)備等車載用途（符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)）。

詳細(xì)介紹

KDS超小型晶振DSX211SH,1ZZNAE26000AB0J四腳貼片晶振，日本進(jìn)口KDS晶振，DSX211SH小體積石英晶體，尺寸2.0x1.6mm四腳貼片晶振，無源晶振，1ZZNAE26000AB0J石英晶體諧振器，小型薄型SMD石英振子2016尺寸，厚度0.45mm，耐熱性優(yōu)良，高精度，高可靠性，支持廣泛的頻率16MHz~60MHz，符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)，用途：工業(yè)機器，通信機、近距離無線模塊、DVC、DSC、PC等小型設(shè)備，可穿戴設(shè)備等車載用途（符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)）。
2016貼片晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點,產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品.

KDS超小型晶振DSX211SH,1ZZNAE26000AB0J四腳貼片晶振，參數(shù)圖

型號名稱	DSX211SH
頻率范圍	16~30MHz	30~60MHz
泛音階	功能
負(fù)載容量	8pF，10pF，12pF
激勵電平	10μW (100μW max.)
頻率允許偏差	±20×10^-6( at 25℃)
串聯(lián)電阻	100ω。	50ω。
頻率溫度特性	±50×10^-6/-40~+105℃ (Ref. to 25℃)
保存溫度范圍	-40~+105℃
包裝單位	3000pcs./reel(φ180 )

KDS超小型晶振DSX211SH,1ZZNAE26000AB0J四腳貼片晶振，尺寸圖

KDS超小型晶振DSX211SH,1ZZNAE26000AB0J四腳貼片晶振

在使用晶振時應(yīng)注意以下事項:
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種貼片石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作

KDS超小型晶振DSX211SH,1ZZNAE26000AB0J四腳貼片晶振

日本大真空株式會社KDS晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).

環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域,從開發(fā),生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件,壓電石英晶體,有源晶體,壓電陶瓷諧振器,大真空集團業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動.

日本大真空株式會社KDS晶振將：

通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.

有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).

通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止變暖.

避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).

遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律,標(biāo)準(zhǔn),協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.

根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時促進(jìn)這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護(hù)活動的信息公開.

KDS大真空晶振集團認(rèn)識到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認(rèn)識到針對環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.

過去KDS晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績效的持續(xù)改進(jìn).

KDS晶振集團將：不論何時何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現(xiàn)對自然資源的保持. KDS超小型晶振DSX211SH,1ZZNAE26000AB0J四腳貼片晶振

KDS晶振集團將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的,州立的以及地方環(huán)保機構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助和其他組織從事的環(huán)?；顒? 在地方對各項設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.

KDS集團將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時,努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強公眾環(huán)境,健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境,健康和安全問題的注意.

品牌	貼片石英晶體	型號	尺寸	頻率
KDS晶振	1ZZNAE26000AB0J	DSX211SH	2016	26.000M
KDS晶振	1ZZCAA24000BE0B	DSX211G	2016	24.000M
KDS晶振	ZC08759	DSO211AH	2016	25.000M
KDS晶振	1XXD16367MAA	DSB211SDN	2016	16.367M
KDS晶振	ZC12467	DSA211SDN	2016	16.32M
KDS晶振	ZC12456	DSB211SDN	2016	16.320M
KDS晶振	1ZZNAE48000ZZ0R	DSX211SH	2016	48.000M
KDS晶振	1ZZCAA27120BB0D	DSX211G	2016	27.12M
KDS晶振	1RAK38400CKA	DSR211STH	2016	38.4M
KDS晶振	1ZCP37400AA0H	DSX211AL	2016	37.400M
KDS晶振	1XXD24000MBA	DSB211SDN	2016	24.000M
KDS晶振	1ZZCAA27120CD0A	DSX211G	2016	27.12MHZ
KDS晶振	1ZZNAE38400AA0C	DSX211SH	2016	38.400MHZ
KDS晶振	1XXC26000MMA	DSA211SDN	2016	26.000M
KDS晶振	1ZZCAA26000AB0A	DSX211G	2016	26.000M
KDS晶振	17AF05000A01B000000I	DSX211G	2016石英晶振	50.000M
KDS晶振	1XXC19200MEA	DSA211SDN	2016	19.2M
KDS晶振	1ZZCAA27000ZC0A	DSX211G	2016	27.000M
KDS晶振	1ZZCAA54000BC0A	DSX211G	2016	54.000M
KDS晶振	1ZZCAA38400BC0B	DSX211G	2016	38.4M
KDS晶振	1XXD32000PBA	DSB211SDN	2016	32.000M
KDS晶振	7DF01920A09	DSA211SDN	2016	19.200M
KDS晶振	1XXD26000MAA	DSB211SDN	2016	26.000M
KDS晶振	1XXC26000HBA	DSA211SCM	2016	26.000MHz
KDS晶振	1XXC52000JBA	DSA211SDM	2016	52.000MHZ
KDS晶振	1XXD38400HCA	DSB211SCM	2016	38.400MHz
KDS晶振	1XXD26000CAL	DSB211SDA	2016	26.000MHz
KDS晶振	1XXD16367JAA	DSB211SDM	2016	16.367667MHZ
KDS晶振	1XXD16368JBA	DSB211SDM	2016	16.368MHz
KDS晶振	1XXD16369JDA	DSB211SDM	2016	16.369MHz
KDS晶振	1XXD26000JMB	DSB211SDM	2016	26.000MHz
KDS晶振	1XXD26000JHC	DSB211SDM	2016	26.000MHz
KDS晶振	1XXD26000MBC	DSB211SDN	2016	26.000MHz
KDS晶振	1XXB52000HAA	DSB221SCM	2016	52.000MHZ
KDS晶振	1RAE19200BAA	DSR211ATH	2016	19.200MHz
KDS晶振	1ZZCAA16000BB0A	DSX211G	2016	16.000MHz
KDS晶振	1ZZCAA26000AB0E	DSX211G	2016	26.000MHz
KDS晶振	1ZZCAA32000BB0C	DSX211G	2016	32.000MHZ
KDS晶振	1ZZCAA32000BB0F	DSX211G	2016	32.000MHZ
KDS晶振	1ZZNAE26000AB0L	DSX211SH	2016	26.000MHZ