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鴻星晶振,貼片晶振,E3FB晶振

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  石英晶體振蕩器

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深圳市康華爾電子有限公司

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產(chǎn)品簡介

高精度晶片的拋光技術(shù)：是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的技術(shù)，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值，使石英晶體元器件可在更低功耗下工作。

詳細(xì)介紹

鴻星晶振,貼片晶振,E3FB晶振,鴻星晶振有限公司于1979年成立,產(chǎn)品由專業(yè)石英晶振,貼片晶振,電阻器、電容器制造廠,公元1991年于中國臺灣投入石英晶體之研發(fā)制造、1991年開始于中國大陸拓展生產(chǎn)基地,至今擁有四處生產(chǎn)基地、九處營銷及FAE據(jù)點及十個營銷代表處.

鴻星晶振已經(jīng)成為從事石英頻率控制組件的重要制造商之一,致力于插件式(DIP)與表面黏著式(SMD)石英晶體,有源晶振,壓控振蕩器系列產(chǎn)品之研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)與營銷.

鴻星致力于提供客戶異的質(zhì)量、服務(wù)及價值,專注于專業(yè)創(chuàng)新并鼓勵員工以團隊合作及積極成長的態(tài)度與時俱進(jìn).

鴻星晶振科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營管理的基礎(chǔ).藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實施.并不斷透過教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識,藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān),并滿足客戶需求,獲得客戶的信賴而努力.HCX-3FB晶振,3225石英晶體諧振器,E3FB晶振

鴻星晶振規(guī)格	單位	E3FB晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	10MHZ~115MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	50μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,16PF	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,年

在使用鴻星晶振時應(yīng)注意以下事項:

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.

3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.HCX-3FB晶振,3225石英晶體諧振器,E3FB晶振

4：粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

6：靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作

鴻星晶振科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動執(zhí)行，以整合內(nèi)部資源，奠定經(jīng)營管理的基礎(chǔ)。藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè)，環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段，合理化推動環(huán)境/安衛(wèi)管理，落實環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實施:

1.為環(huán)境保護(hù)和降低成本開發(fā)綠色技術(shù)。

2.為協(xié)調(diào)發(fā)展，共同參與社會的環(huán)境、健康與安全的改善活動。

3.在3225晶振產(chǎn)品的整個生命周期內(nèi)確定、評價和改進(jìn)重要的環(huán)境、健康和安全因素。

4.建立和維護(hù)以國際協(xié)定和國家環(huán)境、健康與安全法律法規(guī)為基礎(chǔ)的企業(yè)內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)。

5.為防止事故的發(fā)生和制造清潔的生產(chǎn)環(huán)境，開發(fā)生產(chǎn)過程的安全技術(shù)，明確緊急狀態(tài)反應(yīng)的職責(zé)。

6.環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段，合理化推動環(huán)境/安衛(wèi)管理，落實環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實施。并不斷透過教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識，藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān)，并滿足客戶需求.HCX-3FB晶振,3225石英晶體諧振器,E3FB晶振

7.提供從材料的選定到廢棄過程中考慮環(huán)境質(zhì)量的SMD晶振產(chǎn)品。加強制度建設(shè)，深化環(huán)境監(jiān)管，向環(huán)境污染宣戰(zhàn)，促進(jìn)經(jīng)濟與環(huán)境協(xié)調(diào)發(fā)展。