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西安賽航光電科技有限公司
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西安賽航光電科技有限公司
| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)PECVD-Y12IIH-3Z/G（PECVD-Y12II6H-3Z/G）
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地西安市
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更新時(shí)間：2026-03-09 12:21:28瀏覽次數(shù)：52次
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技術(shù)參數(shù)：
| 系統(tǒng)名稱 | 1200℃預(yù)加熱滑動(dòng)雙溫區(qū)PECVD系統(tǒng) | ||
| 系統(tǒng)型號(hào) | PECVD-Y12IIH-3Z/G | PECVD-Y12II6H-3Z/G | |
| 溫區(qū) | 1200℃ | ||
| 加熱區(qū)長(zhǎng)度 | 420mm | 610mm | |
| 恒溫區(qū)長(zhǎng)度 | 280mm | 400mm | |
| 溫區(qū) | 雙溫區(qū) | 雙溫區(qū) | |
| 石英管管徑 | Φ50/Φ60/Φ80 | Φ80/Φ100 | |
| 額定功率 | 3.2Kw | 4.8Kw | |
| 額定電壓 | 220V | 220V | |
| 滑動(dòng)方式 | 自動(dòng)滑動(dòng)/手動(dòng)滑動(dòng) | ||
| 溫度控制 | 國(guó)產(chǎn)程序控溫系統(tǒng)50段程序控溫 | ||
| 控制精度 | ± 1℃ | ||
| 爐管工作溫度 | ＜ 1200℃ | ||
| 氣路法蘭 | 本實(shí)用新型在密封法蘭與管件鏈接的地方采用多環(huán)密封技術(shù)，在密封法蘭與管外壁間形成了密封，在管件外徑誤差較大的情況下密封仍然有效，該密封法蘭的安裝只需在次使用設(shè)備的時(shí)候安裝 | ||
| 預(yù)加熱溫度 | 1200℃ | ||
| 預(yù)加熱加熱區(qū)長(zhǎng)度 | 300mm | ||
| 預(yù)加熱恒溫區(qū)長(zhǎng)度 | 160mm | ||
| 額定功率 | 1.2KW | ||
| 額定電壓 | 220V | ||
| 溫度控制 | 國(guó)產(chǎn)程序控溫系統(tǒng)50段程序控溫 | ||
| 控制精度 | ± 1℃ | ||
| 氣體控制方式 | 質(zhì)量流量計(jì) | ||
| 氣路數(shù)量 | 3路（可根據(jù)具體需要選配氣路數(shù)量） | ||
| 流量范圍 | 0-500sccm（標(biāo)準(zhǔn)毫升/分，可選配）氮?dú)鈽?biāo)定 | ||
| 精度 | ± 1%F.S | ||
| 響應(yīng)時(shí)間 | ≤ 4sec | ||
| 工作溫度 | 5-45℃ | ||
| 工作壓力 | 進(jìn)氣壓力0.05-0.3Mpa（表壓力） | ||
| 系統(tǒng)連接方式 | 采用KF快速連接波紋管、高真空手動(dòng)擋板閥及數(shù)顯真空測(cè)量?jī)x | ||
| 規(guī)格 | 中真空 | 高真空 | |
| 系統(tǒng)真空范圍 | 10pa-100pa | 1×10-3pa-1×10-1pa | |
| 真空泵 | 雙極機(jī)械泵理論極限真空度3x10-3pa，抽氣速率4L/S，出氣口配有油污過(guò)濾器，額定電壓200V， 功率0.55Kw | 真空分子泵理論極限真空度5x10-6pa，抽氣 速率1600L/S，額定電壓200V，功率2Kw | |
| 信號(hào)頻率 | 13.56MHz ± 005% | ||
| 功率輸出范圍 | 5W-500W | ||
| 反射功率 | 200W | ||
| 射頻輸出接口 | 50Ω，N-type，temale | ||
| 功率穩(wěn)定度 | ± 0.1% | ||
| 諧波分量 | ≤ -50dbc | ||
| 供電電壓 | 單相交流（187V-253V）頻率50/60HZ | ||
| 整機(jī)功率 | ≥ 70% | ||
| 屏幕顯示 | 正方向功率，匹配器電容位置，偏置電壓值 | ||
| 整機(jī)尺寸 | 483*500*88mm | ||
| 爐體外形尺寸 | 340×580×555mm | 480×770×605mm | |
| 系統(tǒng)外形尺寸 | 530*2310*750mm | 530*2310*750mm（不含高真空） | |
| 系統(tǒng)總重量 | 300Kg | 380Kg | |
產(chǎn)品用途
PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。
PECVD系統(tǒng)配置
? 1200度開啟式雙溫區(qū)真空管式爐。
? 滑動(dòng)系統(tǒng)分為手動(dòng)，電動(dòng)滑動(dòng)，并配置管內(nèi)測(cè)溫系統(tǒng)。
? 預(yù)加熱開啟式管式電爐。
? 等離子射頻電源。
? 多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)。
? 真空系統(tǒng)（可選配中真空或者高真空）。
產(chǎn)品特點(diǎn)
生長(zhǎng)溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、適用范圍廣、設(shè)備簡(jiǎn)單。
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