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CV-5000電容電壓特性測試儀

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具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號CV-5000

品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地杭州市

包裝印刷網(wǎng)采購部電話:0571-88918531QQ:2568841715

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更新時間:2023-08-23 11:34:12瀏覽次數(shù):208次

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經(jīng)營模式:其他

商鋪產(chǎn)品:419條

所在地區(qū):

聯(lián)系人:錢經(jīng)理

產(chǎn)品簡介

簡要描述:無

詳細介紹

CV-5000
型
電 容 電 壓 特 性 測 試 儀

在集成電路特別是MOS電路的生產(chǎn)和開發(fā)研制中,MOS電容的C-V測試是極為重要的工藝過程監(jiān)控測試手段,通過C-V測試達到優(yōu)化生產(chǎn)過程中的工藝參數(shù),提高IC成品率。
MOS(金屬-氧化物-半導體)結(jié)構(gòu)的電容是外加偏置電壓的函數(shù),MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線(簡稱C-V特性)。C-V曲線與半導體的導電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有密切的關(guān)系。 利用實際測量到的MOS結(jié)構(gòu)的C-V曲線與理想的MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性曲線比較,可求得氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動電荷面密度、和固定電荷面密度等參數(shù)。
另外作為組成半導體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)(勢壘電容)。加正向偏壓時,PN結(jié)勢壘區(qū)變窄,勢壘電容變大;加反向偏壓時,PN結(jié)勢壘區(qū)變寬,勢壘電容變小。

CV-5000型電容電壓特性測試儀是測試頻率為1MHz的智能化數(shù)字的電容測試儀器,既可用于測試半導體器件PN結(jié)的勢壘電容在不同偏壓下的電容量,也可進行Mos電容的外加電壓掃描測試,還可測試其它MIS電容。
該電容電壓特性測試系統(tǒng)由主機和上位機(PC)組成,并在軟件控制下完成校準及測試等功能,同時顯示C-V電容電壓特性曲線。主機面板上的發(fā)光二極管指示儀器的工作狀態(tài),用數(shù)碼管組成的顯示板,將被測元件的數(shù)值,小數(shù)點清晰地顯示出來。儀器有較高的分辨率,電容量是五位讀數(shù),可分辮到0.001pF,偏置電壓分辨力為0.1V,漏電流分辨力為0.01uA。
儀器配有專用CV-5000型測量座,接插元件靈活,方便可靠。
CV-5000型電容電壓特性測試儀軟件測試系統(tǒng)是一個運行在計算機上擁有友好測試界面的用戶程序,程序操作直觀易用。測試程序在計算機與CV-5000型電容電壓特性測試測試儀連接的狀態(tài)下,通過計算機的USB口實現(xiàn)通訊。
測試程序控制電容電壓特性測試測試儀進行測量并采集測試數(shù)據(jù),把采集到的數(shù)據(jù)在計算機中加以分析,然后把測試數(shù)據(jù)以表格,圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在計算機中保存或者打印以備日后參考和查看,還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中,讓用戶對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析。
點擊放大圖片(N型襯底MOS電容C-V曲線)
點擊放大圖片(P型襯底MOS電容C-V曲線)

技 術(shù) 指 標 :
測試信號頻率
1.000MHz±0.01%
測試信號電壓
小于或等于100mVrms
電容測量范圍
1.000pF~5000.0pF
工作誤差
±3.0%±2字
直流偏壓
-35V~+35V(可擴展),由軟件按設(shè)定步進電壓值輸出偏置電壓;
軟件功能

由軟件控制電壓的掃描輸出,讀取不同電壓點的電容值并在電腦中繪出電容-
電壓的變化曲線。軟件可記錄、保存、打印每一點的測試數(shù)據(jù),也可把測試 數(shù)據(jù)輸出到Excel中,對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析;

電腦通訊接口
USB通訊接口;
應(yīng)用
主要應(yīng)用于PN結(jié)摻雜和MOS摻雜C-V特性測量在不同偏壓下的電容量,也可測試
其它電容。
供電電源
交流電壓:220V±5%;頻率: 50Hz±5%;消耗功率:不大于40W;
工作環(huán)境
溫度:0~40℃;濕度:20%~90%RH 40℃;


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