天津瑞利光電科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹OHD-C310-BD是一種分布反饋（DFB）激光二極管，CWDM波長為1310nm；它專為在商業(yè)溫度范圍內(nèi)的高功率運(yùn)行而設(shè)計(jì)
產(chǎn)品型號：OHD-C310-BD所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹IDT2是一個(gè)小型M18螺紋激光二極管模塊（長60mm，直徑14mm），可以投射尖銳光束、直線光束或交叉光束，使其成為整個(gè)工業(yè)和科學(xué)領(lǐng)域許多應(yīng)用的理想解...
產(chǎn)品型號：IDT 2所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹IDT1系列由一個(gè)紅色激光模塊和一個(gè)直徑為14毫米的鋁制外殼組成
產(chǎn)品型號：IDT 1所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹它是一款50m有源直徑InGaAs光電二極管，安裝在帶球透鏡的TO46頂蓋中
產(chǎn)品型號：FD50系列所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹它是一款具有22GHz大功率光電二極管
產(chǎn)品型號：FP1015a所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹Monocrom的A-stack-940-nm是一種激光二極管，波長為930至940nm，輸出功率為60至400W，輸出功率60至400W，工作電流60...
產(chǎn)品型號：940nm 450W所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹Monocrom的CS-mount-808-nm是一種波長為780至830nm、輸出功率為20至500W、工作電流20至450A
產(chǎn)品型號：808nm 40W所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹RLU4116E是一款超紫外激光二極管，發(fā)射波長為375nm，額定輸出功率為70mW，采用標(biāo)準(zhǔn)5.6mmTO封裝
產(chǎn)品型號：RLU4116E所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹WICOP系列專為具有大電流工作能力的高通量輸出應(yīng)用而設(shè)計(jì)
產(chǎn)品型號：S1W0-5050657012-00000000-PS001所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹SMP1330-085LF是一款表面貼裝、低電容硅PIN限幅二極管，設(shè)計(jì)為并聯(lián)PIN二極管，適用于高達(dá)6GHz的大功率限幅應(yīng)用
產(chǎn)品型號：SMP1330-085LF所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹我們在光脈沖發(fā)生器、播種器和驅(qū)動器方面擁有獨(dú)特的能力
產(chǎn)品型號：STOP-LDa-gs所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹擴(kuò)展其全彩(RGB)SMDLED產(chǎn)品組合
產(chǎn)品型號：XZFBBM2CRKM2DGZ157W所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹這是一款高輻射660nm紅色LED，專為要求高發(fā)光強(qiáng)度和日光下可見度的應(yīng)用而優(yōu)化設(shè)計(jì)
產(chǎn)品型號：TXPI 1037所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹TopGaN正在制造發(fā)射光譜范圍從400nm到461nm的激光二極管，精度為+/-2nm
產(chǎn)品型號：TG 418-S所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹超過額定值的應(yīng)力可能會損壞激光器
產(chǎn)品型號：EYP-DFB-0760-00040-1500-BFW01-0005所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹激光二極管中的P-N結(jié)由兩個(gè)摻雜的砷化鎵層形成
產(chǎn)品型號：M915±10-170-F105/22所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹通過優(yōu)化半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)和光學(xué)參數(shù)，DILAST-Bar架構(gòu)使用標(biāo)準(zhǔn)微光學(xué)快軸準(zhǔn)直器（FAC）和慢軸準(zhǔn)直器，所有這些都采用自動化工藝組裝，提供高光束質(zhì)量和...
產(chǎn)品型號：M1F4S22-807.2-30C-SS2.2所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹每個(gè)檢測器具有100mm2的有源面積和用于在12nm和18nm之間進(jìn)行檢測的直接沉積的薄膜濾波器
產(chǎn)品型號：SXUV100TF135所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的CoolSiC1200V、350mSiCMOSFET基于的溝槽半導(dǎo)體工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能和工作可...
產(chǎn)品型號：IMBG120R350M1H所在地：天津市更新時(shí)間：2026-06-02 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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