硅(si)高速偏壓光電探測(cè)器,可實(shí)現(xiàn)2GHZ帶寬,上升沿≤150ps的高速響應(yīng)特性,特別適合高速激光脈沖或發(fā)光事件的強(qiáng)度時(shí)間波形測(cè)量,典型光譜范圍覆蓋400nm~1100nmo探測(cè)器靶面分為窗口式、透鏡式、FC接口式等多種封裝形式,適用于各種不同的應(yīng)用場(chǎng)景

詳細(xì)介紹

硅(si)高速偏壓光電探測(cè)器, 可實(shí)現(xiàn) 2GHZ 帶寬, 上升沿≤150ps 的高速響應(yīng)特性, 特別適合高速激光脈沖或發(fā)光事件的強(qiáng)度時(shí)間波形測(cè)量, 典型光譜范圍覆蓋400nm~1100nmo

探測(cè)器靶面分為窗口式、透鏡式、FC接口式等多種封裝形式, 適用于各種不同的應(yīng)用場(chǎng)景。

產(chǎn)品參數(shù)：

產(chǎn)品型號(hào)	BOS025A	BOS025AL	BOS025AFC
信號(hào)特性
輸入耦合方式	窗片	球透鏡	FC/PC 光纖座
波長(zhǎng)范圍	400~1100nm, 峰值波長(zhǎng)730nm
峰值響應(yīng)	0.46A/W
光敏面尺寸	Φ250um
上升時(shí)間 (@50Ω)	150ps(TY P.),@653nm,20/80%
下降時(shí)間 (@50Ω)	150ps(TY P.),@653nm,80/20%
3dB 帶寬 (@50Q)	2GHZ
結(jié)電容	1.73PF
NEP	9.29x10-15w/HZ1/2
光損傷閾值	18mw
暗電流	35PA
偏置電壓	12V
工作阻抗	50Ω
輸出電壓	2V（Max）
環(huán)境參數(shù)	A23,12VDC,40mAh
供電電池	A23,12VDC,40mAh
工作溫度	0~40℃
存儲(chǔ)溫度	0~40℃
環(huán)境參數(shù)
信號(hào)接口	SMA(直流耦合)
支桿接口	M4X1
外觀(guān)尺寸	2.21"x14"x0.8o"(56.1mmx35.6mmx20.3mm)
光敏面特性	平面增透膜	透鏡尺寸0.059"(1.50mm)	內(nèi)嵌耦合透鏡0.059"(1.50mm)
探測(cè)器凈重	0.18kg

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