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更新時間：2023-02-11 15:43:22瀏覽次數：947次
聯(lián)系我時，請告知來自 包裝印刷網光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。在紫外光等光照或輻射下，溶解度會發(fā)生變化的薄膜材料。AZ4562正性厚光刻膠，具有粘附力，在普通濕法蝕刻和電鍍工藝中具有粘附力，廣泛應用于半導體行業(yè)。AZ5214這種特殊的光刻膠用于需要負壁輪廓的剝離技術（lift-of工藝）。由酚醛清漆樹脂和萘醌二疊氮化物作為光敏化合物（PAC）組成的正性光致抗蝕劑，它們也可反轉成負膠，從而產生的掩模。SU-82000系列環(huán)氧型樹脂的負性光刻膠，SU-82000化學放大，i線抗蝕劑非常適合制造性器件結構。這些負色調，環(huán)氧基抗蝕劑表現出優(yōu)異的耐化學性和低的楊氏模量，使其成為制造微/納米結構的理想選擇，如懸臂，膜和微通道。SU-83000系列已被配制用于改進的粘合性和降低的涂層應力。它被用于需要高結合強度和改進的微結構制造柔性的地方，用于微流控/MEMS微納工藝，大大提高了與基板的粘合性。mr-NIL210有機可光固化的NIL抗蝕劑，具有出色的干法刻蝕特性。它具有出色的固化和納米壓印性能，特別適用于使用軟印模材料（例如PDMS）的軟NIL。mr-I......
光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。在紫外光等光照或輻射下，溶解度會發(fā)生變化的薄膜材料。
AZ 4562
正性厚光刻膠，具有粘附力，在普通濕法蝕刻和電鍍工藝中具有粘附力，廣泛應用于半導體行業(yè)。
AZ 5214
這種特殊的光刻膠用于需要負壁輪廓的剝離技術（lift-of工藝）。由酚醛清漆樹脂和萘醌二疊氮化物作為光敏化合物（PAC）組成的正性光致抗蝕劑，它們也可反轉成負膠，從而產生的掩模。
SU-8 2000系列
環(huán)氧型樹脂的負性光刻膠，SU-8 2000化學放大，i線抗蝕劑非常適合制造性器件結構。這些負色調，環(huán)氧基抗蝕劑表現出優(yōu)異的耐化學性和低的楊氏模量，使其成為制造微/納米結構的理想選擇，如懸臂，膜和微通道。
SU-8 3000系列
已被配制用于改進的粘合性和降低的涂層應力。它被用于需要高結合強度和改進的微結構制造柔性的地方，用于微流控/MEMS微納工藝，大大提高了與基板的粘合性。
mr-NIL210
有機可光固化的NIL抗蝕劑，具有出色的干法刻蝕特性。它具有出色的固化和納米壓印性能，特別適用于使用軟印模材料（例如PDMS）的軟NIL。
mr-I T85
熱塑性NIL抵抗劑，基于非極性環(huán)烯烴共聚物（TOPAS）的T-NIL抗蝕劑（Tg = 85°C）。
SU8膠配套顯影液、去膠液、去邊膠
SU-8 Dev、Remover PG去膠、EBR-PG 去邊膠、ZX-238型正膠顯影液
AZ膠配套顯影液
AZ300MIF-薄AZ系列光刻膠的顯影液
AZ400K-厚AZ系列光刻膠的顯影液
電子束膠
PMMA/MMA950k 495k 50-5000nm 分辨率<10nm 粘附性好，適用于電子束光刻，多層T-Gate剝離、晶圓減?。?/p>
ma-N 2400 0.1um-1um 分辨率50 nm 電子束和深紫外靈敏；抗干刻、濕刻性能；膠圖案良好的熱穩(wěn)定性；堿性水溶液下顯影；
紫外光刻負膠-lift-off工藝
ROL-7133 2.2-4um 分辨率4um 制作金屬電極或導線，倒角75-80度，粘附性好，可使用普通正膠顯影液；
SUN-1300 7-18um 分辨率4um 對比度高、分辨率高、附著性佳、易于去除；
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