SGTP5T60SD1D/F/S絕緣柵雙極型品體管采用士蘭微電子第三代場(chǎng)截止(Field Stop)工藝制作,具有較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,該產(chǎn)品可應(yīng)用于UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域。
SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252特征
■ 低導(dǎo)通損耗
■ 快開關(guān)速度
■ 高輸入阻抗
■ 5A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A
SGTP5T60SD1D/FS IGBT 5A 600V to252極限參數(shù)(除非特殊說明,Tc=25℃)
| 參數(shù) | 符號(hào) | 參數(shù)范圍 | 單位 | |||
| SGTP5T60SD1D | SGTP5T60SD1F | SGTP5T60SD1S | ||||
| 集電極射極電壓 | VCE | 600 | V | |||
| 柵極射極電壓 | VGE | ±30 | V | |||
| 集電極電流 | Tc=25℃ | Ic | 10 | A | ||
| Tc=100℃ | 5 | |||||
| 集電極脈沖電流 | IcM | 15 | A | |||
| 二極管電流 | IF | 10 | A | |||
| 短路維持時(shí)間 | TSC | 10 | us | |||
| (VGE=15V,Vcc=300V) | ||||||
| 耗散功率(Tc=25℃) | PD | 82 | 35 | 83 | W | |
| 工作結(jié)溫范圍 | TJ | -55~+150 | ℃ | |||
| 貯存溫度范圍 | Tstg | -55~+150 | ℃ | |||
SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252晶體管,5A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A,采用TO252封裝,可兼容替換AOD5B65M1,典型應(yīng)用于電機(jī)逆變 IGBT。





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