ID7S0230半橋自舉驅(qū)動芯片是一款單相高壓功率的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器,其被優(yōu)化用于驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)功率晶體管。其浮地通道驅(qū)動設(shè)計能適應高達18V的BUS電壓。由于工作電壓范圍寬,高低側(cè)柵驅(qū)動電壓可以被優(yōu)化成效率。內(nèi)部自適應死區(qū)電路可有效防止功率管共態(tài)導通并進一步降低了開關(guān)損耗??赏ㄟ^控制使能引腳(EN)為低電平來關(guān)斷驅(qū)動器的輸出。
ID7S0230半橋自舉驅(qū)動芯片特性
■ 高側(cè)浮動偏移電壓18V
■ 較寬的工作電壓范圍
■ 輸入邏輯兼容3.3V和5V
■ 一路PWM信號控制兩路輸出
■ 自適應死區(qū)防直通電路
■ 使能功能引腳
■ HO輸出與N同相,LO輸出與IN反相
■ 所有通道延時匹配功能
封裝/訂購信息

典型電路圖

應用領(lǐng)域
■
■ 無線充電器
■ DCDC變換器
ID7S0230D半橋自舉驅(qū)動芯片采用DFN8-3x3封裝,是18 V 單相,IN/EN,集成自舉二極管,輸入功率電壓高達36V,4.8-15V 寬范圍工作電壓范圍,驅(qū)動能力IO+/IO-:3.5/3.0 A,典型應用于、無線充電領(lǐng)域,可兼容替代ON/安森美NCP81155。





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