Xact200 執(zhí)行頂端的 TEM/STEM 樣品制備,符合下一代物理 FA 和表征的半導(dǎo)體和納米技術(shù)路線圖要求。
Xact200 是第二代系統(tǒng),地將性的創(chuàng)新 AIM 技術(shù)與集成的 FE SEM 柱、過程實(shí)時(shí) STEM 成像功能和基于壓電的多軸 eucentric 機(jī)械手結(jié)合在一起。
Xact200 提供zhuo越的樣品質(zhì)量,顯著縮短周轉(zhuǎn)時(shí)間并提高生產(chǎn)率。
AIM 是專有的自適應(yīng)離子銑削技術(shù),優(yōu)于傳統(tǒng)的聚焦離子束 (FIB) 和寬離子束 (BIB) 技術(shù),能夠在大面積上將薄片厚度減小到 15 納米以下,具有無偽影質(zhì)量、高精度、可控厚度變化和高吞吐量。
系統(tǒng)亮點(diǎn)
wu與倫比的質(zhì)量和可以忽略不計(jì)的偽影
Si 上約 1nm 的非晶層
常規(guī)薄片減薄至 20nm 以下,覆蓋廣泛的感興趣區(qū)域
減薄至 10nm 支持 1x 技術(shù)節(jié)點(diǎn)
增強(qiáng)的薄片厚度均勻性和穩(wěn)健性
集成 FE SEM/STEM 觀察的高精度銑削
AIM 技術(shù)由具有動(dòng)態(tài) Xe 離子束的離子銑削裝置實(shí)現(xiàn)
系統(tǒng)特點(diǎn)
側(cè)視圖和平面視圖 TEM/STEM 準(zhǔn)備
頂部和背面 Delayering
寬高結(jié)構(gòu)的 SEM 橫截面制備
SCM 和 SSRM 準(zhǔn)備
準(zhǔn)備極大和極小的物體
TSV 和凸點(diǎn) SEM 和 TEM/STEM 準(zhǔn)備
銑削過程中的實(shí)時(shí) STEM 成像
銑削過程中的實(shí)時(shí)厚度測(cè)量
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