產(chǎn)品優(yōu)勢
- 01加工質(zhì)量高
表面無損傷,無切縫,崩邊極?。ā?μm),邊沿蜿蜒?。?3μm)
- 02加工效率高
可采用多焦點(diǎn)改質(zhì)模式,成倍提高切割效率
- 03加工穩(wěn)定性好
激光器平均功率穩(wěn)定性高(≤±3% over 24 hours),光束質(zhì)量高(M2 <1.5)
技術(shù)參數(shù)
| 內(nèi)容 | 主要技術(shù)參數(shù) | |
| 激光器參數(shù) | 中心波長 | 定制紅外波長 |
| 加工頭 | 自制準(zhǔn)直頭 | |
| 加工性能 | 有效工作行程 | 300×400mm(選配) |
| 重復(fù)定位精度 | ± 1 μm | |
| 視覺定位 | 自動視覺定位 | |
| 加工方式 | 逐層改質(zhì)、單點(diǎn)/多點(diǎn)加工方式 | |
| 其他 | 晶圓尺寸 | 8 inch(可兼容12inch) |
| 工藝流程 | 激光改質(zhì)切割— 擴(kuò)膜 | |
| 加工對象 | MEMS芯片 、硅基生物芯片 、硅麥芯片、CMOS芯片等 | |
樣品展示
切割橫斷面示意圖--8英寸硅基晶圓、單點(diǎn)逐層改質(zhì)、厚度730μm
上表面芯片結(jié)構(gòu)面--8英寸硅基晶圓、單點(diǎn)逐層改質(zhì)、厚度730μm
下表面芯片結(jié)構(gòu)面--8英寸硅基晶圓、單點(diǎn)逐層改質(zhì)、厚度730μm





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