特點(diǎn):
1.獲得的MOS多光束技術(shù)(二維激光陣列)
2.采用真空和低壓氣體保護(hù),可進(jìn)行溫度范圍-100~1200°C(多種溫度范圍可選)的變溫測量
3.樣品快速熱處理和冷處理功能
4.溫度閉環(huán)控制保證的溫度均勻性和精度
5.實(shí)時(shí)的應(yīng)力、曲率VS溫度曲線
6.程序化控制掃描模式:選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描
7.成像功能:樣品表面2D曲率成像,定量薄膜應(yīng)力成像分析
8.測量功能:曲率、曲率半徑、薄膜應(yīng)力、薄膜應(yīng)力分布和翹曲等
9.氣體(氮?dú)?、氬氣和氧氣等?span lang="EN-US">Delivery系統(tǒng)
10.可采用泵入液氮冷卻,較大冷卻速率100°C/min
應(yīng)用:
TST用于科研或者生產(chǎn)企業(yè)中薄膜原位應(yīng)力監(jiān)測和控制。
TST應(yīng)用于金屬薄膜,介電薄膜、濾光片膜、平板玻璃、300mm半導(dǎo)體集成電路板、薄膜電池、MBE和MOCVD薄膜制備和退火過程的熱應(yīng)力監(jiān)控等領(lǐng)域。
技術(shù)參數(shù):
| 型號 | TST-1200 |
| 溫度范圍 | -100~1200°C(多種溫度范圍可選) |
| 溫度速率 | 加熱 >10°C/秒 冷卻 600°C,較高50°C/分鐘;400°C到室溫,較高5°C/分鐘(可擴(kuò)展更快的升溫和降溫速率) |
| 溫度均勻性 | ± 2 °C |
| 溫度穩(wěn)定性 | ± 1 % |
| 平均傾斜重復(fù)性 | < 1μrad |
| 平均曲率重復(fù)性 | < 2×10-5 1/m |
| 應(yīng)力測量范圍 | 幾十KPa ~ 幾十GPa |
| 空間掃描分辨率(用戶可調(diào)) | 高達(dá)1μm |
| 曲率分辨率 | 室溫100Km,高溫20Km |
| 實(shí)時(shí)熱應(yīng)力測量分析 | 30點(diǎn)/秒 |
| 真空腔室真空度 | 10 mTorr |
| 測量基片尺寸 | 標(biāo)配200mm(100mm和300mm可選) |





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