超小型半導(dǎo)體應(yīng)變計(jì)采用擴(kuò)散型工藝,利用單晶硅的壓阻效應(yīng),通過(guò)微電子制造工藝加工而成。它將幾個(gè)應(yīng)變電阻,同時(shí)制作在同一芯片上,采用這種工藝給使用者帶來(lái)了極大方便,具有體積小、靈敏度高、極限應(yīng)變大、響應(yīng)快、壽命長(zhǎng)、使用靈活方便等特點(diǎn)。
片內(nèi)的四個(gè)應(yīng)變敏感電阻,是采用首尾相連的方式連接在一起,只有一處為電橋的開口,輸出五個(gè)引腳(即該應(yīng)變電橋5根引線),使每個(gè)電阻都能被獨(dú)立的測(cè)量到阻值。這樣方便應(yīng)變片在粘貼工藝完成后,進(jìn)行調(diào)零;
片內(nèi)的四個(gè)電阻直接組成惠斯通電橋,粘貼工藝完成后從應(yīng)變片的4個(gè)焊盤引線出來(lái)便可應(yīng)用;
片內(nèi)的兩個(gè)電阻為獨(dú)立電阻,每個(gè)電阻有2根引腳,根據(jù)實(shí)際場(chǎng)景可將兩個(gè)應(yīng)變片的四個(gè)電阻組成惠斯通電橋。
可廣泛應(yīng)用與各種力學(xué)量:力、盈利、應(yīng)變、壓力、位移、速度、加速度、流量、振動(dòng)等測(cè)量,尤其適用于輕、薄、小結(jié)構(gòu)中的力學(xué)量的測(cè)量。
| 阻值范圍 | 2kΩ~5 kΩ | 12KΩ±20% | 9KΩ±20% |
| 標(biāo)準(zhǔn)電阻(25°C,不受力) | 2.4 kΩ±5% | 13KΩ±5% | 10KΩ±5% |
| 靈敏度 | ≥0.4mV/µ?@5V | >0.35mV/µ?@5V | >0.40mV/µ?@5V |
| 應(yīng)變極限 | ≥2000µ? | ≥1200µ? | ≥1200µ? |
| 零點(diǎn)輸出 | ≤80mV | ≤±20mV | ≤±20mV |
| 靈敏度熱漂移 | ≤0.2%/°C | ≤0.5%FS/°C | ≤0.5%FS/°C |
| 工作溫度 | -55°C~85°C | ||
| 反向漏電流 | ≤1x10-8A(暗) | ||
| 反向擊穿電壓 | ≥50V(硬) | ||
| 疲勞壽命 | ≥107次 | ||
| 電源 | 恒壓源≤12VDC,恒流源≤mA | ||
| 外型尺寸 | 1.3x1.3mm | 1.4x1.4mm | 0.8x1.4mm |
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