| ※12位DA精度,1MS/s模擬量輸出頻率 ※2路模擬量輸出,任意波形發(fā)生 ※DA緩存:每路256K字RAM存儲器 ※每路可RAM做任意循環(huán)輸出的數(shù)據(jù) ※DA量程:±5V、±10V、0~10V、0~5V ※12位AD精度,100KS/s采樣頻率 ※單端16路/差分8路 模擬量輸入 ※AD緩存:8K字FIFO存儲器 ※AD量程:±10V、±5V、±2.5V 、0~10V ※程控增益:1、2、4、8倍(默認)或1、2、5、10倍或1、10、100、1000倍 ※AD觸發(fā)方式:多種模擬量、數(shù)字量觸發(fā)方式 ※數(shù)字量輸入、輸出各8路 |
| ※12位DA精度,1MS/s模擬量輸出頻率 ※2路模擬量輸出,任意波形發(fā)生 ※DA緩存:每路256K字RAM存儲器 ※每路可RAM做任意循環(huán)輸出的數(shù)據(jù) ※DA量程:±5V、±10V、0~10V、0~5V ※12位AD精度,100KS/s采樣頻率 ※單端16路/差分8路 模擬量輸入 ※AD緩存:8K字FIFO存儲器 ※AD量程:±10V、±5V、±2.5V 、0~10V ※程控增益:1、2、4、8倍(默認)或1、2、5、10倍或1、10、100、1000倍 ※AD觸發(fā)方式:多種模擬量、數(shù)字量觸發(fā)方式 ※數(shù)字量輸入、輸出各8路 |
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